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      深圳市重投天科半導體有限公司
      導電型4H-SiC襯底晶片
      導電型4H-SiC襯底晶片
      晶片尺寸:4~6英寸
      晶片厚度:350 μm ± 15 μm
      電阻率:0.015~0.024 Ω·cm
      產品用途:產品主要于制造SiC電力電子
      器件及SiC襯底上GaN光電子器件。
      導電型4H-SiC外延晶片
      導電型4H-SiC晶體
      晶體尺寸:4~6英寸
      電阻率:0.015~0.024 Ω·cm
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